第1章 绪论

1.1 技术趋势：延续摩尔定律

1.1.1 器件的改进

1.1.2 材料科学的贡献

1.1.3 深亚波长光刻

1.2 可制造性设计

1.2.1 DFM的经济价值

1.2.2 偏差

1.2.3 对基于模型的DFM方法的需求

1.3 性设计

1.4 小结

参考文献

第2章 半导体制造

2.1 概述

2.2 图形生成工艺

2.2.1 光刻

2.2.2 刻蚀技术

2.3 光学图形生成

2.3.1 照明系统

2.3.2 衍射

2.3.3 成像透镜系统

2.3.4 曝光系统

2.3.5 空间像与缩小成像

2.3.6 光刻胶图形生成

2.3.7 部分相干

2.4 光刻建模

2.4.1 唯象建模

2.4.2 光刻胶的物理建模

2.5 小结

参考文献

第3章 工艺和器件偏差：分析与建模

3.1 概述

3.2 栅极长度偏差

3.2.1 光刻导致的图形化偏差

3.2.2 线边缘粗糙度：理论与特性

3.3 栅极宽度偏差

3.4 原子的波动

3.5 金属和电介质厚度偏差

3.6 应力引起的偏差

3.7 小结

参考文献

第4章 面向制造的物理设计

4.1 概述

4.2 光刻工艺窗口的控制

4.3 分辨率增强技术

4.3.1 光学邻近效应修正

4.3.2 亚分辨率辅助图形

4.3.3 相移掩膜

4.3.4 离轴照明

4.4 DFM的物理设计

4.4.1 几何设计规则

4.4.2 受限设计规则

4.4.3 基于模型的规则检查和适印性验证

4.4.4 面向可制造性的标准单元设计

4.4.5 减小天线效应

4.4.6 DFM的布局与布线

4.5 高级光刻技术

4.5.1 双重图形光刻

4.5.2 逆向光刻

4.5.3 其他高级技术

4.6 小结

参考文献

第5章 计量、制造缺陷以及缺陷提取

5.1 概述

5.2 工艺所致的缺陷

5.2.1 误差来源的分类

5.2.2 缺陷的相互作用及其电效应

5.2.3 粒子缺陷建模

5.2.4 改善关键区域的版图方法

5.3 图形所致缺陷

5.3.1 图形所致缺陷类型

5.3.2 图形密度问题

5.3.3 图形化缺陷建模的统计学方法

5.3.4 减少图形化缺陷的版图方法

5.4 计量方法

5.4.1 测量的精度和容限

5.4.2 CD计量

5.4.3 覆盖计量

5.4.4 其他在线测量

5.4.5 原位计量

5.5 失效分析技术

5.5.1 无损测试技术

5.5.2 有损测试技术

5.6 小结

参考文献

第6章 缺陷影响的建模以及成品率提高技术

6.1 概述

6.2 缺陷对电路行为影响的建模

6.2.1 缺陷和故障的关系

6.2.2 缺陷-故障模型的作用

6.2.3 测试流程

6.3 成品率提高

6.3.1 容错技术

6.3.2 避错技术

6.4 小结

参考文献

第7章 物理设计和性

7.1 概述

7.2 电迁移

7.3 热载流子效应

7.3.1 热载流子注入机制

7.3.2 器件损坏特性

7.3.3 经时介电击穿

7.3.4 缓解HCI引起的退化

7.4 负偏压温度不稳定性

7.4.1 反应-扩散模型

7.4.2 静态和动态NBTI

7.4.3 设计技术

7.5 静电放电

7.6 软错误

7.6.1 软错误的类型

7.6.2 软错误率

7.6.3 面向性的SER缓解与修正

7.7 性筛选与测试

7.8 小结

参考文献

第8章 可制造性设计：工具和方法学

8.1 概述

8.2 IC设计流程中的DFx

8.2.1 标准单元设计

8.2.2 库特征化

8.2.3 布局、布线与虚拟填充

8.2.4 验证、掩膜综合与检测

8.2.5 工艺和器件仿真

8.3 电气DFM

8.4 统计设计与投资回报率

8.5 优化工具的DFM

8.6 面向DFM的性分析

8.7 未来技术节点的DFx

8.8 结束语

参考文献