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Applied Physics Express
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人气：22

Applied Physics Express SCIE

  • ISSN：1882-0778
  • 出版商：Japan Society of Applied Physics
  • 出版语言：English
  • E-ISSN：1882-0786
  • 出版地区：JAPAN
  • 是否预警：否
  • 创刊时间：2008
  • 出版周期：Monthly
  • TOP期刊：否
  • 影响因子：2.3
  • 是否OA：未开放
  • CiteScore：4.8
  • H-index：79
  • 研究类文章占比：100.00%
  • Gold OA文章占比：15.21%
  • 文章自引率：0.0869...
  • 开源占比：0.1138
  • OA被引用占比：0.1629...
  • 出版国人文章占比：0.34
  • 出版修正文章占比：0.0066...
  • 国际标准简称：APPL PHYS EXPRESS
  • 涉及的研究方向：物理-物理：应用
  • 中文名称：应用物理快报
  • 预计审稿周期： 约1.0个月
国内分区信息：

大类学科：物理与天体物理  中科院分区  4区

国际分区信息：

JCR学科：PHYSICS, APPLIED  JCR分区  Q3

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期刊简介 国内分区 国际分区 CiteScore 期刊评价 发文统计 高引用文章
  • 影响因子：2.3
  • Gold OA文章占比：15.21%
  • OA被引用占比：0.1629...
  • CiteScore：4.8
  • 研究类文章占比：100.00%
  • 开源占比：0.1138
  • 文章自引率：0.0869...
  • 出版国人文章占比：0.34

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Applied Physics Express 期刊简介

Applied Physics Express是物理与天体物理领域的一本优秀期刊。由Japan Society of Applied Physics出版社出版。该期刊主要发表物理与天体物理领域的原创性研究成果。创刊于2008年，该期刊主要刊载物理-物理：应用及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI4区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动物理与天体物理领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 约1.0个月 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Applied Physics Express 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 否 否
中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 否 否
中科院分区 2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 否 否
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 否 否
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 否 否
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 否 否

Applied Physics Express 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 100 / 179

44.4%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 95 / 179

47.21%

CiteScore指数（2024年最新版）

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.487
  • SNIP：0.817
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：General Engineering Q2 77 / 307

74%
大类：Engineering 小类：General Physics and Astronomy Q2 72 / 243

70%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
Created with Highcharts 4.2.6大类分区大类分区2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年1.522.533.544.5
期刊影响因子和自引率趋势图
Created with Highcharts 4.2.6影响因子自引率影响因子自引率2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年01234502.557.51012.5

发文统计

年发文量统计
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年发文量 419 386 391 340 379 561 457 375 344 311
国家/地区发文量统计
国家/地区 数量
Japan 706
CHINA MAINLAND 582
USA 110
South Korea 54
France 29
GERMANY (FED REP GER) 25
Taiwan 25
England 22
Russia 18
Singapore 18
机构发文量统计
机构 数量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 119
UNIVERSITY OF TOKYO 96
OSAKA UNIVERSITY 87
NAGOYA UNIVERSITY 81
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY (AIST) 71
TOHOKU UNIVERSITY 69
KYOTO UNIVERSITY 67
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 60
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 59
UNIVERSITY OF TSUKUBA 48

高引用文章

文章名称 引用次数
Indication of current-injection lasing from an organic semiconductor 51
A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation 48
Hybrid quantum systems based on magnonics 47
U-shaped photonic quasi-crystal fiber sensor with high sensitivity based on surface plasmon resonance 29
Omnidirectional tunable terahertz analog of electromagnetically induced transparency realized by isotropic vanadium dioxide metasurfaces 28
High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer 20
Low-pressure CVD-grown beta-Ga2O3 bevel-field-plated Schottky barrier diodes 20
Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AIN templates annealed at high temperatures 19
Design and exploration of semiconductors from first principles: A review of recent advances 19
Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence 18

我们的优势

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