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Ieee Transactions On Nanotechnology是工程技术领域的一本优秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2002年,该期刊主要刊载工程技术-材料科学:综合及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 3区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 192 / 352 |
45.6% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 286 / 438 |
34.8% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 105 / 140 |
25.4% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 109 / 179 |
39.4% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 200 / 354 |
43.64% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 255 / 438 |
41.89% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 82 / 140 |
41.79% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 106 / 179 |
41.06% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 278 / 797 |
65% |
大类:Engineering 小类:Computer Science Applications | Q2 | 330 / 817 |
59% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 161 | 142 | 124 | 147 | 180 | 129 | 121 | 118 | 106 | 109 |
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 119 |
USA | 104 |
India | 91 |
Taiwan | 39 |
South Korea | 28 |
Iran | 27 |
GERMANY (FED REP GER) | 18 |
Italy | 17 |
France | 14 |
Spain | 14 |
机构 | 数量 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 33 |
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 24 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 22 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 14 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA | 12 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 11 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 10 |
UNIVERSITY OF HONG KONG | 10 |
JILIN UNIVERSITY | 9 |
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE PILANI (BITS PILANI) | 8 |
文章名称 | 引用次数 |
An Improved Particle Filter With a Novel Hybrid Proposal Distribution for Quantitative Analysis of Gold Immunochromatographic Strips | 44 |
Graphene-Silicon Schottky Diodes for Photodetection | 26 |
One-Step Synthesis of Au/SnO2/RGO Nanocomposites and Their VOC Sensing Properties | 21 |
Perovskite Methylammonium Lead Trihalide Heterostructures: Progress and Challenges | 18 |
Digital Metasurface Based on Graphene: An Application to Beam Steering in Terahertz Plasmonic Antennas | 17 |
Engineering Hexagonal Array of Nanoholes for High Sensitivity Biosensor and Application for Human Blood Group Detection | 14 |
Highly Sensitive Ammonia Sensors Based on Ag-Decorated WO3 Nanorods | 14 |
Parasitic Effect Analysis in Memristor-Array-Based Neuromorphic Systems | 13 |
Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures | 12 |
Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI | 12 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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