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Ieee Transactions On Nuclear Science
人气:20

Ieee Transactions On Nuclear Science SCIE

  • ISSN:0018-9499
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版语言:English
  • E-ISSN:1558-1578
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 是否预警:
  • 创刊时间:1954
  • 出版周期:Bimonthly
  • TOP期刊:
  • 影响因子:1.9
  • 是否OA:未开放
  • CiteScore:3.7
  • H-index:110
  • 研究类文章占比:99.70%
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • 文章自引率:0.2777...
  • 开源占比:0.1597
  • 出版国人文章占比:0.13
  • 出版修正文章占比:0.0031...
  • 国际标准简称:IEEE T NUCL SCI
  • 涉及的研究方向:工程技术-工程:电子与电气
  • 中文名称:IEEE核科学汇刊
  • 预计审稿周期: 约3.0个月
国内分区信息:

大类学科:工程技术  中科院分区  3区

国际分区信息:

JCR学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY  JCR分区  Q1

  • 影响因子:1.9
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • CiteScore:3.7
  • 研究类文章占比:99.70%
  • 开源占比:0.1597
  • 文章自引率:0.2777...
  • 出版国人文章占比:0.13

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Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊简介

Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技术领域的一本优秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1954年,该期刊主要刊载工程技术-工程:电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI3区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。

同时,我们注重来稿文章表述的清晰度,以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此,我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 约3.0个月 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑,建议您在提交前主动与期刊主编取得联系,或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向,为您推荐最为合适的期刊,助力您顺利投稿,实现学术成果的顺利发表。

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区
中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区 3区
中科院分区 2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 4区 3区
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区 3区

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊国际分区信息(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

CiteScore指数(2024年最新版)

  • CiteScore:3.7
  • SJR:0.537
  • SNIP:1.339
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Energy 小类:Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大类:Energy 小类:Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大类:Energy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年发文量 499 381 363 381 376 289 320 331 282 330
国家/地区发文量统计
国家/地区 数量
USA 331
CHINA MAINLAND 200
France 185
Italy 105
Switzerland 95
Japan 78
GERMANY (FED REP GER) 53
South Korea 44
England 41
Russia 37
机构发文量统计
机构 数量
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) 105
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 100
VANDERBILT UNIVERSITY 93
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 80
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) 76
CEA 73
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) 58
UNIVERSITE DE TOULOUSE 34
UNIVERSITE DE MONTPELLIER 31
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE 29

高引用文章

文章名称 引用次数
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators 53
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling 15
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate 12
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics 11
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout 11
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses 9
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications 9
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields 9
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal 9
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs 8

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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