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Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技术领域的一本优秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1954年,该期刊主要刊载工程技术-工程:电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI3区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 1区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 | 4区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 1区 3区 | 是 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 10 / 40 |
76.3% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 354 |
58.05% |
学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 13 / 40 |
68.75% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Energy 小类:Nuclear Energy and Engineering | Q2 | 23 / 77 |
70% |
大类:Energy 小类:Nuclear and High Energy Physics | Q2 | 31 / 87 |
64% |
大类:Energy 小类:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 361 / 797 |
54% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 499 | 381 | 363 | 381 | 376 | 289 | 320 | 331 | 282 | 330 |
国家/地区 | 数量 |
USA | 331 |
CHINA MAINLAND | 200 |
France | 185 |
Italy | 105 |
Switzerland | 95 |
Japan | 78 |
GERMANY (FED REP GER) | 53 |
South Korea | 44 |
England | 41 |
Russia | 37 |
机构 | 数量 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 105 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 80 |
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) | 76 |
CEA | 73 |
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) | 58 |
UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE | 29 |
文章名称 | 引用次数 |
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators | 53 |
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling | 15 |
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate | 12 |
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics | 11 |
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout | 11 |
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses | 9 |
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications | 9 |
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields | 9 |
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal | 9 |
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs | 8 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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