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Journal Of Crystal Growth是材料科学领域的一本优秀期刊。由Elsevier出版社出版。该期刊主要发表材料科学领域的原创性研究成果。创刊于1967年,该期刊主要刊载化学-晶体学及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动材料科学领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 3区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 3区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 | 3区 3区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理 | 4区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 3区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 | 3区 3区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 3区 | CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 | 3区 3区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics | Q2 | 205 / 434 |
52% |
大类:Physics and Astronomy 小类:Inorganic Chemistry | Q2 | 40 / 79 |
50% |
大类:Physics and Astronomy 小类:Materials Chemistry | Q3 | 162 / 317 |
49% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 703 | 559 | 526 | 789 | 404 | 473 | 446 | 320 | 394 | 306 |
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 389 |
Japan | 241 |
USA | 197 |
GERMANY (FED REP GER) | 136 |
Russia | 105 |
France | 72 |
India | 69 |
Taiwan | 33 |
Canada | 32 |
Poland | 31 |
机构 | 数量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 101 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 74 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 54 |
TOHOKU UNIVERSITY | 38 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 37 |
NAGOYA UNIVERSITY | 33 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 30 |
LEIBNIZ INSTITUT FUR KRISTALLZUCHTUNG (IKZ) | 29 |
NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY | 21 |
OSAKA UNIVERSITY | 21 |
文章名称 | 引用次数 |
Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing | 18 |
Heteroepitaxial growth of alpha beta gamma- and kappa-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy | 17 |
Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr3 | 15 |
Doping of Czochralski-grown bulk beta-Ga2O3 single crystals with Cr, Ce and Al | 14 |
Crystal growth and scintillation performance of Cs2HfCl6 and Cs2HfCl4Br2 | 11 |
Competitive grain growth and dendrite morphology evolution in selective laser melting of Inconel 718 superalloy | 10 |
Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition | 10 |
Influence of aqueous Mg concentration on the transformation of amorphous calcium carbonate | 10 |
The effect of different amino acids on spontaneous precipitation of calcium carbonate polymorphs | 10 |
Epitaxial growth of undoped and Li-doped NiO thin films on alpha-Al2O3 substrates by mist chemical vapor deposition | 9 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影响因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影响因子 0.8
CiteScore 1.3
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影响因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影响因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影响因子 1.7
SCIE
影响因子 12.6
CiteScore 17.8
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