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Materials Science In Semiconductor Processing是工程技术领域的一本优秀期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1998年，该期刊主要刊载工程技术-材料科学：综合及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI3区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。
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| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 3区 3区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 | 2区 2区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 3区 3区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 3区 4区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 3区 3区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 3区 3区 3区 3区 | 否 | 否 |
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 89 / 352 |
74.9% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q2 | 158 / 438 |
64% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 51 / 179 |
71.8% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q2 | 25 / 79 |
69% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 113 / 354 |
68.22% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q2 | 125 / 438 |
71.58% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 47 / 179 |
74.02% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q1 | 19 / 79 |
76.58% |
| 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 大类：Engineering 小类：Mechanical Engineering | Q1 | 87 / 672 |
87% |
| 大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics | Q1 | 59 / 434 |
86% |
| 大类：Engineering 小类：Mechanics of Materials | Q1 | 60 / 398 |
85% |
| 大类：Engineering 小类：General Materials Science | Q1 | 100 / 463 |
78% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年发文量 | 518 | 753 | 390 | 455 | 412 | 468 | 485 | 873 | 706 | 635 |
| 国家/地区 | 数量 |
| CHINA MAINLAND | 376 |
| India | 309 |
| South Korea | 97 |
| Turkey | 76 |
| Mexico | 73 |
| Japan | 71 |
| Iran | 65 |
| USA | 63 |
| Saudi Arabia | 55 |
| Italy | 48 |
| 机构 | 数量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 48 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 42 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 37 |
| SRM INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY CHENNAI | 36 |
| CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR) | 26 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 25 |
| INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL - MEXICO | 23 |
| COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH (CSIR) - INDIA | 22 |
| UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO | 19 |
| KING KHALID UNIVERSITY | 17 |
| 文章名称 | 引用次数 |
| Recent advances in perovskite oxides for anion-intercalation supercapacitor: A review | 42 |
| Enhanced photocatalytic performance of visible-light active graphene-WO3 nanostructures for hydrogen production | 36 |
| Photocatalytic, Fenton and photo-Fenton degradation of RhB over Z-scheme g-C3N4/LaFeO3 heterojunction photocatalysts | 31 |
| Photocatalytic degradation of methylene blue in aqueous solution by using ZnO-SnO2 nanocomposites | 31 |
| Recent advances in diamond power semiconductor devices | 25 |
| Recent progress in the growth of beta-Ga2O3 for power electronics applications | 23 |
| Materials and processing issues in vertical GaN power electronics | 21 |
| Review of technology for normally-off HEMTs with p-GaN gate | 21 |
| Improving microstructural properties and minimizing crystal imperfections of nanocrystalline Cu2O thin films of different solution molarities for solar cell applications | 20 |
| Facilely synthesized Cu:PbS nanoparticles and their structural, morphological, optical, dielectric and electrical studies for optoelectronic applications | 20 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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