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Ieee Electron Device Letters
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人气：95

Ieee Electron Device Letters SCIE

  • ISSN：0741-3106
  • 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版语言：English
  • E-ISSN：1558-0563
  • 出版地区：UNITED STATES
  • 是否预警：否
  • 创刊时间：1980
  • 出版周期：Monthly
  • TOP期刊：是
  • 影响因子：4.1
  • 是否OA：未开放
  • CiteScore：8.2
  • H-index：135
  • 研究类文章占比：100.00%
  • Gold OA文章占比：4.62%
  • 文章自引率：0.1020...
  • 开源占比：0.057
  • 出版国人文章占比：0.35
  • 出版修正文章占比：0.0143...
  • 国际标准简称：IEEE ELECTR DEVICE L
  • 涉及的研究方向：工程技术-工程：电子与电气
  • 中文名称：IEEE 电子器件字母
  • 预计审稿周期： 约1.3个月
国内分区信息：

大类学科：工程技术  中科院分区  2区

国际分区信息：

JCR学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC  JCR分区  Q2

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期刊简介 国内分区 国际分区 CiteScore 期刊评价 发文统计 高引用文章
  • 影响因子：4.1
  • Gold OA文章占比：4.62%
  • CiteScore：8.2
  • 研究类文章占比：100.00%
  • 开源占比：0.057
  • 文章自引率：0.1020...
  • 出版国人文章占比：0.35

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Ieee Electron Device Letters 期刊简介

Ieee Electron Device Letters是工程技术领域的一本权威期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1980年，是工程技术领域中具有代表性的学术刊物。该期刊主要刊载工程技术-工程：电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI2区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 约1.3个月 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Ieee Electron Device Letters 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区 2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否

Ieee Electron Device Letters 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

CiteScore指数（2024年最新版）

  • CiteScore：8.2
  • SJR：1.25
  • SNIP：1.5
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
Created with Highcharts 4.2.6大类分区大类分区2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2
期刊影响因子和自引率趋势图
Created with Highcharts 4.2.6影响因子自引率影响因子自引率2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年02468100510152025

发文统计

年发文量统计
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年发文量 393 402 394 419 448 459 417 429 522 477
国家/地区发文量统计
国家/地区 数量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32
机构发文量统计
机构 数量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA 42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY 35

高引用文章

文章名称 引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV 38
An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor 36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs 28
Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque 27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation 24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2) 23
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications 22

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