Ieee Electron Device Letters期刊_Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商

影响因子：4.1
Gold OA文章占比：4.62%
CiteScore：8.2
研究类文章占比：100.00%
开源占比：0.057
文章自引率：0.1020...
出版国人文章占比：0.35

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Ieee Electron Device Letters 期刊简介

Ieee Electron Device Letters是工程技术领域的一本权威期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1980年，是工程技术领域中具有代表性的学术刊物。该期刊主要刊载工程技术-工程：电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI2区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均约1.3个月。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Ieee Electron Device Letters 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区 2022年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区 2021年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区 2021年12月基础版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区 2021年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区 2020年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

Ieee Electron Device Letters 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

CiteScore指数（2024年最新版）

CiteScore：8.2
SJR：1.25
SNIP：1.5

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图

期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计

年份	2014	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
年发文量	393	402	394	419	448	459	417	429	522	477

国家/地区发文量统计

国家/地区	数量
CHINA MAINLAND	577
USA	282
South Korea	174
Taiwan	123
Japan	65
England	60
India	49
Belgium	37
GERMANY (FED REP GER)	37
France	32

机构发文量统计

机构	数量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES	84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM	70
XIDIAN UNIVERSITY	56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY	49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY	48
PEKING UNIVERSITY	42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA	42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)	36
IMEC	35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY	35

高引用文章

文章名称	引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV	38
An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor	36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs	28
Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque	27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping	27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz	26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation	24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs	24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)	23
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications	22