Ieee Transactions On Electron Devices期刊_Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商

影响因子：2.9
Gold OA文章占比：6.38%
OA被引用占比：0.0017...
CiteScore：5.8
研究类文章占比：100.00%
开源占比：0.0674
文章自引率：0.1612...
出版国人文章占比：0.22

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Ieee Transactions On Electron Devices 期刊简介

Ieee Transactions On Electron Devices是工程技术领域的一本权威期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1954年，是工程技术领域中具有代表性的学术刊物。该期刊主要刊载工程技术-工程：电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI2区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均约4.7个月。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Ieee Transactions On Electron Devices 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区 3区	否	否

中科院分区 2022年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区 3区	否	否

中科院分区 2021年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区 3区	否	否

中科院分区 2021年12月基础版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 3区	否	否

中科院分区 2021年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区 3区	否	否

中科院分区 2020年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	2区 2区	是	否

Ieee Transactions On Electron Devices 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

CiteScore指数（2024年最新版）

CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图

期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计

年份	2014	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
年发文量	629	633	737	759	789	802	878	1129	1093	1084

国家/地区发文量统计

国家/地区	数量
CHINA MAINLAND	741
USA	455
India	399
Taiwan	232
South Korea	181
GERMANY (FED REP GER)	149
Japan	123
Italy	111
France	110
England	100

机构发文量统计

机构	数量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)	239
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA	123
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES	92
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY	81
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM	76
IMEC	74
PEKING UNIVERSITY	66
XIDIAN UNIVERSITY	58
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)	57
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY	50

高引用文章

文章名称	引用次数
Fully Inkjet-Printed Photodetector Using a Graphene/Perovskite/Graphene Heterostructure	42
Effects of Postannealing on the Characteristics and Reliability of Polyfluorene Organic Light-Emitting Diodes	37
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance	28
Demonstration of Constant 8 W/mm Power Density at and 94 GHz in State-of-the-Art Millimeter-Wave N-Polar GaN MISHEMTs	27
Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2 Layer for Large Memory Window and High Performance	22
2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges	20
High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxide-Based FeFET Memory Without Retention Penalty	20
BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, AC Stress and Recovery Time Kinetics, Nitrogen Impact, and EOL Estimation	20
Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells	18
Design and Investigation of Charge-Plasma-Based Work Function Engineered Dual-Metal-Heterogeneous Gate Si-Si0.55Ge0.45 GAA-Cylindrical NWTFET for Ambipolar Analysis	17