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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics是工程技术领域的一本优秀期刊。由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2006年,该期刊主要刊载工程:电子与电气-工程技术及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。
同时,我们注重来稿文章表述的清晰度,以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此,我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 约1.0个月 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑,建议您在提交前主动与期刊主编取得联系,或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向,为您推荐最为合适的期刊,助力您顺利投稿,实现学术成果的顺利发表。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 319 / 352 |
9.5% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 134 / 140 |
4.6% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 171 / 179 |
4.7% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 336 / 354 |
5.23% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 133 / 140 |
5.36% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 175 / 179 |
2.51% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 94 | 153 | 123 | 185 | 260 | 225 | 200 | 243 | 196 | 179 |
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 322 |
India | 133 |
South Korea | 50 |
Saudi Arabia | 44 |
Iran | 41 |
Egypt | 31 |
Pakistan | 30 |
Malaysia | 27 |
Turkey | 26 |
Algeria | 24 |
机构 | 数量 |
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 47 |
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 16 |
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI) | 15 |
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY | 15 |
CHONGQING UNIVERSITY | 14 |
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA | 14 |
KING KHALID UNIVERSITY | 12 |
KING SAUD UNIVERSITY | 10 |
ASSIUT UNIVERSITY | 9 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 9 |
文章名称 | 引用次数 |
Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices | 10 |
A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies | 9 |
Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection | 8 |
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies | 8 |
Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate | 7 |
High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate | 6 |
Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes | 6 |
On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature | 6 |
Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance | 6 |
Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films | 6 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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