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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
人气:7

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics SCIE

  • ISSN:1555-130X
  • 出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
  • 出版语言:English
  • E-ISSN:1555-1318
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 是否预警:
  • 创刊时间:2006
  • 出版周期:Tri-annual
  • TOP期刊:
  • 影响因子:0.6
  • 是否OA:未开放
  • H-index:18
  • 研究类文章占比:97.77%
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • 文章自引率:0.1666...
  • 出版国人文章占比:0.38
  • 国际标准简称:J NANOELECTRON OPTOE
  • 涉及的研究方向:工程:电子与电气-工程技术
  • 中文名称:纳米电子学与光电子学杂志
  • 预计审稿周期: 约1.0个月
国内分区信息:

大类学科:工程技术  中科院分区  4区

国际分区信息:

JCR学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY、PHYSICS, APPLIED  JCR分区  Q4

  • 影响因子:0.6
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • 研究类文章占比:97.77%
  • 文章自引率:0.1666...
  • 出版国人文章占比:0.38

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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 期刊简介

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics是工程技术领域的一本优秀期刊。由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2006年,该期刊主要刊载工程:电子与电气-工程技术及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。

同时,我们注重来稿文章表述的清晰度,以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此,我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 约1.0个月 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑,建议您在提交前主动与期刊主编取得联系,或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向,为您推荐最为合适的期刊,助力您顺利投稿,实现学术成果的顺利发表。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区 2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 期刊国际分区信息(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年发文量 94 153 123 185 260 225 200 243 196 179
国家/地区发文量统计
国家/地区 数量
CHINA MAINLAND 322
India 133
South Korea 50
Saudi Arabia 44
Iran 41
Egypt 31
Pakistan 30
Malaysia 27
Turkey 26
Algeria 24
机构发文量统计
机构 数量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) 47
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 16
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI) 15
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY 15
CHONGQING UNIVERSITY 14
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA 14
KING KHALID UNIVERSITY 12
KING SAUD UNIVERSITY 10
ASSIUT UNIVERSITY 9
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 9

高引用文章

文章名称 引用次数
Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices 10
A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies 9
Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection 8
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies 8
Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate 7
High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate 6
Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes 6
On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature 6
Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance 6
Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films 6

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