Iet Circuits Devices & Systems
人气:4

Iet Circuits Devices & Systems SCIE

  • ISSN:1751-858X
  • 出版商:Wiley
  • 出版语言:English
  • E-ISSN:1751-8598
  • 出版地区:ENGLAND
  • 是否预警:
  • 创刊时间:2007
  • 出版周期:Bi-monthly
  • TOP期刊:
  • 影响因子:1
  • 是否OA:开放
  • CiteScore:3.8
  • H-index:45
  • 研究类文章占比:96.15%
  • Gold OA文章占比:69.13%
  • 文章自引率:0.0769...
  • 开源占比:0.2776
  • OA被引用占比:0.0109...
  • 出版国人文章占比:0.12
  • 国际标准简称:IET CIRC DEVICE SYST
  • 涉及的研究方向:工程技术-工程:电子与电气
  • 中文名称:集成电路设备和系统
  • 预计审稿周期: 较慢,6-12周
国内分区信息:

大类学科:工程技术  中科院分区  4区

国际分区信息:

JCR学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC  JCR分区  Q4

  • 影响因子:1
  • Gold OA文章占比:69.13%
  • OA被引用占比:0.0109...
  • CiteScore:3.8
  • 研究类文章占比:96.15%
  • 开源占比:0.2776
  • 文章自引率:0.0769...
  • 出版国人文章占比:0.12

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Iet Circuits Devices & Systems 期刊简介

Iet Circuits Devices & Systems是工程技术领域的一本优秀期刊。由Wiley出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2007年,该期刊主要刊载工程技术-工程:电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动工程技术领域的进步。

同时,我们注重来稿文章表述的清晰度,以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此,我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 较慢,6-12周 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑,建议您在提交前主动与期刊主编取得联系,或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向,为您推荐最为合适的期刊,助力您顺利投稿,实现学术成果的顺利发表。

Iet Circuits Devices & Systems 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区
中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区
中科院分区 2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

Iet Circuits Devices & Systems 期刊国际分区信息(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 285 / 352

19.2%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 287 / 354

19.07%

CiteScore指数(2024年最新版)

  • CiteScore:3.8
  • SJR:0.289
  • SNIP:0.595
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Control and Systems Engineering Q2 137 / 321

57%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 350 / 797

56%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年发文量 66 54 65 83 103 141 176 91 32 26
国家/地区发文量统计
国家/地区 数量
India 169
CHINA MAINLAND 68
Iran 53
USA 35
Canada 22
Taiwan 21
South Korea 17
Turkey 14
Egypt 9
France 9
机构发文量统计
机构 数量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) 47
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 37
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 17
JADAVPUR UNIVERSITY 11
XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY 10
SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KERMAN (SBUK) 8
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE PILANI (BITS PILANI) 6
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 6
ANNA UNIVERSITY 5
BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 5

高引用文章

文章名称 引用次数
Novel CNFET ternary circuit techniques for high-performance and energy-efficient design 10
Novel CMOS MO-CFDITA based fully electronically controlled square/triangular wave generator with adjustable duty cycle 7
Efficient designs of reversible latches with low quantum cost 7
Efficient design of coplanar ripple carry adder in QCA 7
Widely tunable low-pass g(m) - C filter for biomedical applications 6
Tuning approach for first-order filters and new current-mode circuit example 6
Transmission gate-based 9T SRAM cell for variation resilient low power and reliable internet of things applications 6
Fault-tolerant delay cell for ring oscillator application in 65 nm CMOS technology 5
Light activation of noise at microwave frequencies: a study on scaled gallium arsenide HEMT's 5
Analytical modelling and parameters extraction of multilayered OLED 5

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