Microelectronics Reliability期刊_Elsevier Ltd出版商

影响因子：1.6
Gold OA文章占比：14.36%
OA被引用占比：0.0216...
CiteScore：3.3
研究类文章占比：98.39%
开源占比：0.0623
文章自引率：0.125
出版撤稿文章占比：0.0058...

推荐合适期刊投稿指导助力快速见刊

Microelectronics Reliability 期刊简介

Microelectronics Reliability是工程技术领域的一本优秀期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1964年，该期刊主要刊载工程技术-工程：电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI4区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均较快,2-4周约8.3周。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Microelectronics Reliability 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区 2022年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区 2021年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区 2021年12月基础版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区 2021年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区 2020年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

Microelectronics Reliability 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	239 / 352	32.2%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	113 / 140	19.6%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	131 / 179	27.1%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	272 / 354	23.31%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	114 / 140	18.93%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	140 / 179	22.07%

CiteScore指数（2024年最新版）

CiteScore：3.3
SJR：0.394
SNIP：0.801

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality	Q2	83 / 207	60%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	395 / 797	50%
大类：Engineering 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q3	118 / 224	47%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q3	230 / 434	47%
大类：Engineering 小类：Surfaces, Coatings and Films	Q3	74 / 132	44%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	161 / 284	43%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图

期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计

年份	2014	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
年发文量	422	413	419	403	526	316	344	355	329	310

高引用文章

文章名称	引用次数
Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI	25
An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction	25
Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs	21
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence	16
Controversial issues in negative bias temperature instability	13
An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes	13
A review of NBTI mechanisms and models	12
New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs	12
Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs	11
Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices	10