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Semiconductor Science And Technology是工程技术领域的一本优秀期刊。由IOP Publishing Ltd.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1986年，该期刊主要刊载工程技术-材料科学：综合及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI4区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。
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| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
| 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 305 / 797 |
61% |
| 大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics | Q2 | 167 / 434 |
61% |
| 大类：Engineering 小类：Materials Chemistry | Q2 | 137 / 317 |
56% |
| 大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 126 / 284 |
55% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年发文量 | 239 | 283 | 274 | 295 | 293 | 338 | 392 | 326 | 260 | 193 |
| 国家/地区 | 数量 |
| CHINA MAINLAND | 257 |
| USA | 139 |
| India | 121 |
| GERMANY (FED REP GER) | 95 |
| South Korea | 90 |
| England | 64 |
| Japan | 64 |
| France | 55 |
| Russia | 52 |
| Taiwan | 31 |
| 机构 | 数量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 63 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 47 |
| RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 42 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 41 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 34 |
| IMEC | 20 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 20 |
| FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITUT FUER HOECHSTFREQUENZTECHNIK (FBH) | 18 |
| PEKING UNIVERSITY | 18 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 17 |
| 文章名称 | 引用次数 |
| beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics | 59 |
| Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues | 53 |
| Metal oxide nanostructures for sensor applications | 29 |
| How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches | 28 |
| Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art | 21 |
| Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk | 19 |
| Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells | 18 |
| Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers | 17 |
| A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material | 15 |
| The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides | 15 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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