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Solid-state Electronics是物理与天体物理领域的一本优秀期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。该期刊主要发表物理与天体物理领域的原创性研究成果。创刊于1960年,该期刊主要刊载物理-工程:电子与电气及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动物理与天体物理领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理与天体物理 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理与天体物理 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理与天体物理 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理与天体物理 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
物理与天体物理 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 259 / 352 |
26.6% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 138 / 179 |
23.2% |
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q4 | 61 / 79 |
23.4% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 261 / 354 |
26.41% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 133 / 179 |
25.98% |
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 54 / 79 |
32.28% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering | Q3 | 419 / 797 |
47% |
大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics | Q3 | 245 / 434 |
43% |
大类:Engineering 小类:Materials Chemistry | Q3 | 182 / 317 |
42% |
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 169 / 284 |
40% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 182 | 256 | 217 | 210 | 161 | 163 | 159 | 183 | 255 | 175 |
国家/地区 | 数量 |
South Korea | 131 |
CHINA MAINLAND | 104 |
France | 76 |
USA | 53 |
GERMANY (FED REP GER) | 36 |
India | 24 |
Spain | 21 |
England | 17 |
Belgium | 16 |
Japan | 16 |
机构 | 数量 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 55 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 38 |
UNIVERSITE DE SAVOIE | 33 |
CEA | 32 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 26 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 23 |
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY | 17 |
STMICROELECTRONICS | 16 |
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH) | 12 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 11 |
文章名称 | 引用次数 |
Lightweight flexible indium-free oxide TFTs with AND logic function employing chitosan biopolymer as self-supporting layer | 21 |
The photovoltaic impact of atomic layer deposited TiO2 interfacial layer on Si-based photodiodes | 12 |
Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET | 11 |
Low-voltage electric-double-layer MoS2 transistor gated via water solution | 11 |
Effect of defect creation and migration on hump characteristics of a-InGaZnO thin film transistors under long-term drain bias stress with light illumination | 11 |
Characterization and modeling of 28-nm FDSOI CMOS technology down to cryogenic temperatures | 10 |
Improve the performance of CZTSSe solar cells by applying a SnS BSF layer | 10 |
A review on terahertz photogalvanic spectroscopy of Bi2Te3- and Sb2Te3-based three dimensional topological insulators | 8 |
Multi-layer WSe2 field effect transistor with improved carrier-injection contact by using oxygen plasma treatment | 8 |
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: In situ fabrication and enhanced gas sensing performance | 7 |
SCIE
影响因子 4.2
CiteScore 1.5
SCIE
影响因子 0.9
CiteScore 1.6
SCIE
影响因子 1.8
CiteScore 3.1
SCIE
影响因子 2.7
CiteScore 6.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.4
SCIE
CiteScore 4
SCIE
影响因子 4.8
CiteScore 6.7
SCIE
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 0.7
CiteScore 1.4
SCIE
影响因子 1.3
CiteScore 2.7
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