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Journal Of Computational Electronics是工程技术领域的一本优秀期刊。由Springer US出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2002年，该期刊主要刊载ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI4区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。
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| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 183 / 352 |
48.2% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.2% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 190 / 354 |
46.47% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 100 / 179 |
44.41% |
| 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 大类：Mathematics 小类：Modeling and Simulation | Q2 | 89 / 324 |
72% |
| 大类：Mathematics 小类：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 295 / 797 |
63% |
| 大类：Mathematics 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics | Q2 | 91 / 224 |
59% |
| 大类：Mathematics 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 121 / 284 |
57% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年发文量 | 112 | 99 | 168 | 124 | 190 | 146 | 206 | 202 | 169 | 117 |
| 国家/地区 | 数量 |
| India | 191 |
| Iran | 91 |
| CHINA MAINLAND | 52 |
| USA | 50 |
| Algeria | 36 |
| Saudi Arabia | 20 |
| Bangladesh | 16 |
| GERMANY (FED REP GER) | 13 |
| Pakistan | 11 |
| Tunisia | 11 |
| 机构 | 数量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 43 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 27 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 24 |
| SHAHID BEHESHTI UNIVERSITY | 13 |
| ARIZONA STATE UNIVERSITY | 11 |
| VELLORE INSTITUTE OF TECHNOLOGY | 9 |
| JAWAHARLAL NEHRU UNIVERSITY, NEW DELHI | 7 |
| SHANMUGHA ARTS, SCIENCE, TECHNOLOGY & RESEARCH ACADEMY (SASTRA) | 7 |
| AMIRKABIR UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 6 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
| 文章名称 | 引用次数 |
| Particle swarm optimization and finite-difference time-domain (PSO/FDTD) algorithms for a surface plasmon resonance-based gas sensor | 12 |
| First-principles analysis of the detection of amine vapors using an antimonene electroresistive molecular device | 11 |
| Investigation on the structural, elastic, electronic, and magnetic properties of half-metallic Co2MnSi and CoMnIrSi via first-principles calculations | 10 |
| A miniaturized slotted multiband antenna for wireless applications | 10 |
| A dual-channel surface plasmon resonance biosensor based on a photonic crystal fiber for multianalyte sensing | 9 |
| Spin-orbit coupling effects on the electronic structure of two-dimensional silicon carbide | 8 |
| Effect of temperature on the performance analysis of MLGNR interconnects | 8 |
| A first principles study of key electronic, optical, second and third order nonlinear optical properties of 3-(4-chlorophenyl)-1-(pyridin-3-yl) prop-2-en-1-one: a novel D-pi-A type chalcone derivative | 8 |
| Tuning electronic, magnetic, and transport properties of blue phosphorene by substitutional doping: a first-principles study | 8 |
| A computationally efficient hybrid approach based on artificial neural networks and the wavelet transform for quantum simulations of graphene nanoribbon FETs | 8 |
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影响因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影响因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影响因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影响因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影响因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影响因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影响因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影响因子 4.5
CiteScore 8.1
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