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Ecs Journal Of Solid State Science And Technology是材料科学领域的一本优秀期刊。由Electrochemical Society, Inc.出版社出版。该期刊主要发表材料科学领域的原创性研究成果。创刊于2012年,该期刊主要刊载MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动材料科学领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 4区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 312 / 438 |
28.9% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 120 / 179 |
33.2% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 306 / 438 |
30.25% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 128 / 179 |
28.77% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 114 / 284 |
60% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 224 | 268 | 341 | 364 | 325 | 350 | 403 | 547 | 491 | 483 |
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 299 |
USA | 244 |
Japan | 128 |
South Korea | 128 |
Taiwan | 98 |
India | 67 |
GERMANY (FED REP GER) | 47 |
Iran | 34 |
Belgium | 28 |
Italy | 28 |
机构 | 数量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 59 |
STATE UNIVERSITY SYSTEM OF FLORIDA | 54 |
KOREA UNIVERSITY | 42 |
HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 40 |
UNIVERSITY OF ARIZONA | 30 |
TIANJIN KEY LAB ELECT MAT & DEVICES | 29 |
ARACA INC | 27 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 26 |
IMEC | 25 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 20 |
文章名称 | 引用次数 |
2300V Reverse Breakdown Voltage Ga2O3 Schottky Rectifiers | 32 |
Review-Field-Effect Transistor Biosensing: Devices and Clinical Applications | 31 |
Review-Theory and Characterization of Doping and Defects in beta-Ga2O3 | 26 |
Review-Mn4+-Activated Red and Deep Red-Emitting Phosphors | 24 |
Silver-Doped Titania Modified Carbon Electrode for Electrochemical Studies of Furantril | 22 |
Review-Phosphor Plates for High-Power LED Applications: Challenges and Opportunities toward Perfect Lighting | 19 |
Review-Narrow-Band Nitride Phosphors for Wide Color-Gamut White LED Backlighting | 18 |
2.32 kV Breakdown Voltage Lateral beta-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate | 17 |
Review-Progress in High Performance III-Nitride Micro-Light-Emitting Diodes | 16 |
Hydrogen Centers in beta-Ga2O3: Infrared Spectroscopy and Density Functional Theory | 15 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影响因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影响因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影响因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影响因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影响因子 1.7
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影响因子 12.6
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