Ieee Journal Of The Electron Devices Society期刊_Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商

影响因子：2
Gold OA文章占比：97.60%
OA被引用占比：1
CiteScore：5.2
研究类文章占比：98.91%
开源占比：0.9789
文章自引率：0.0434...
出版国人文章占比：0.21

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Ieee Journal Of The Electron Devices Society 期刊简介

Ieee Journal Of The Electron Devices Society是工程技术领域的一本优秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于2013年，该期刊主要刊载Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI3区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。

同时，我们注重来稿文章表述的清晰度，以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此，我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均 9 Weeks 。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑，建议您在提交前主动与期刊主编取得联系，或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向，为您推荐最为合适的期刊，助力您顺利投稿，实现学术成果的顺利发表。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 期刊国内分区信息

中科院分区 2023年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院分区 2022年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院分区 2021年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院分区 2021年12月基础版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院分区 2021年12月升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院分区 2020年12月旧的升级版

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 期刊国际分区信息（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	202 / 352	42.8%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%

CiteScore指数（2024年最新版）

CiteScore：5.2
SJR：0.505
SNIP：0.955

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	90 / 284	68%
大类：Materials Science 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	253 / 797	68%
大类：Materials Science 小类：Biotechnology	Q2	139 / 311	55%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图

期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计

年份	2014	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
年发文量	0	0	69	110	169	188	198	180	144	92

国家/地区发文量统计

国家/地区	数量
CHINA MAINLAND	168
USA	99
Taiwan	98
South Korea	74
Japan	61
India	40
France	29
GERMANY (FED REP GER)	27
Switzerland	23
Belgium	20

机构发文量统计

机构	数量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY	35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)	22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES	20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE	18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY	17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA	17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY	15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)	15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY	15
PEKING UNIVERSITY	14

高引用文章

文章名称	引用次数
FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability	21
Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures	19
Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K	14
Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration	11
Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx	11
Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures	11
Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel Junctions	10
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process	10
Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs	10
Experimental Investigations of State-of-the-Art 650-V Class Power MOSFETs for Cryogenic Power Conversion at 77K	10