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Npj 2d Materials And Applications是材料科学领域的一本权威期刊。由Springer Nature出版社出版。该期刊主要发表材料科学领域的原创性研究成果。创刊于2017年,是材料科学领域中具有代表性的学术刊物。该期刊主要刊载Engineering-Mechanics of Materials及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI2区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动材料科学领域的进步。
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大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 2区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 2区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 2区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 1区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 是 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 2区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
材料科学 | 2区 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 2区 2区 2区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q1 | 61 / 438 |
86.2% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 26 / 140 |
81.8% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 21 / 179 |
88.5% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q1 | 65 / 438 |
85.27% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 23 / 140 |
83.93% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 22 / 179 |
87.99% |
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Engineering 小类:Mechanical Engineering | Q1 | 22 / 672 |
96% |
大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics | Q1 | 16 / 434 |
96% |
大类:Engineering 小类:Mechanics of Materials | Q1 | 17 / 398 |
95% |
大类:Engineering 小类:General Chemistry | Q1 | 33 / 408 |
92% |
大类:Engineering 小类:General Materials Science | Q1 | 44 / 463 |
90% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年发文量 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 51 | 45 | 92 | 87 | 72 |
国家/地区 | 数量 |
USA | 44 |
CHINA MAINLAND | 36 |
GERMANY (FED REP GER) | 16 |
Japan | 15 |
South Korea | 14 |
Spain | 10 |
India | 8 |
France | 7 |
Ireland | 7 |
England | 6 |
机构 | 数量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 16 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 9 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 9 |
UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM | 7 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 6 |
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE | 6 |
TRINITY COLLEGE DUBLIN | 6 |
UNIVERSITY OF ILLINOIS SYSTEM | 6 |
INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE (IISC) - BANGALORE | 5 |
PENNSYLVANIA COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION (PCSHE) | 5 |
文章名称 | 引用次数 |
Exciton physics and device application of two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors | 103 |
Dielectric properties of hexagonal boron nitride and transition metal dichalcogenides: from monolayer to bulk | 90 |
Oxidation stability of Ti3C2Tx MXene nanosheets in solvents and composite films | 45 |
Two-dimensional materials with piezoelectric and ferroelectric functionalities | 42 |
Substrate engineering of graphene reactivity: towards high-performance graphene-based catalysts | 28 |
Quantum confinement-induced semimetal-to-semiconductor evolution in large-area ultra-thin PtSe2 films grown at 400 degrees C | 21 |
Emerging nanofabrication and quantum confinement techniques for 2D materials beyond graphene | 21 |
Classifying optical microscope images of exfoliated graphene flakes by data-driven machine learning | 17 |
Thickness dependent electronic properties of Pt dichalcogenides | 17 |
Electrical devices from top-down structured platinum diselenide films | 16 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影响因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影响因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影响因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影响因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影响因子 1.7
SCIE
影响因子 12.6
CiteScore 17.8
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